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- Jang, Ji-Hyun
- Structures & Sustainable Energy Lab.
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티타늄이 도핑된 산화실리콘 패시베이션 층을 포함하는 산화철 제조방법
- Alternative Title
- Preparing method of hematite with Ti-doped SiOx passivation layer
- Application Date
- 2016-07-12
- Registration Date
- 2017-10-18
- Application No.
- 10-2016-0088070
- Publication No.
- 10-1789795
- Abstract
-
본 발명은 티타늄 공급원 및 철 공급원을 혼합하여 용액을 준비하는 단계; 상기 용액에 투명전극 기판을 침지시킨 후 건조하여 티타늄이 도핑된 FeOOH를 제조하는 단계; 상기 티타늄이 도핑된 FeOOH를 세정한 후 어닐링 처리하여 티타늄이 도핑된 헤마타이트(hematite, α-Fe2O3)를 합성하는 단계; 및 증류수, 실리콘 공급원 및 티타늄 공급원으로 이루어진 혼합용액에 상기 티타늄이 도핑된 헤마타이트를 침지시킨 후 열처리하여 패시베이션 층을 형성하는 단계를 포함하는, 티타늄이 도핑된 산화실리콘(SiOx) 패시베이션 층을 포함하는 산화철 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따라 제조된 티타늄이 도핑된 산화실리콘(SiOx) 패시베이션 층을 포함하는 산화철을 물 분해 전극으로 이용할 경우 1.23 VRHE 및 1.50 VRHE에서 각각 2.44 mA/cm2 및 3.70 mA/cm2의 광전류 밀도 값을 갖는 바, PEC의 광전기화학 특성을 개선할 수 있다.
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