File Download

There are no files associated with this item.

  • Find it @ UNIST can give you direct access to the published full text of this article. (UNISTARs only)
Related Researcher

장지현

Jang, Ji-Hyun
Structures & Sustainable Energy Lab.
Read More

Views & Downloads

Detailed Information

Cited time in webofscience Cited time in scopus
Metadata Downloads

Full metadata record

DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 윤기용 -
dc.contributor.author 장지현 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:35:58Z -
dc.date.application 2016-07-12 -
dc.date.available 2024-01-23T19:35:58Z -
dc.date.registration 2017-10-18 -
dc.description.abstract 본 발명은 티타늄 공급원 및 철 공급원을 혼합하여 용액을 준비하는 단계; 상기 용액에 투명전극 기판을 침지시킨 후 건조하여 티타늄이 도핑된 FeOOH를 제조하는 단계; 상기 티타늄이 도핑된 FeOOH를 세정한 후 어닐링 처리하여 티타늄이 도핑된 헤마타이트(hematite, α-Fe2O3)를 합성하는 단계; 및 증류수, 실리콘 공급원 및 티타늄 공급원으로 이루어진 혼합용액에 상기 티타늄이 도핑된 헤마타이트를 침지시킨 후 열처리하여 패시베이션 층을 형성하는 단계를 포함하는, 티타늄이 도핑된 산화실리콘(SiOx) 패시베이션 층을 포함하는 산화철 제조방법을 제공한다.



본 발명에 따라 제조된 티타늄이 도핑된 산화실리콘(SiOx) 패시베이션 층을 포함하는 산화철을 물 분해 전극으로 이용할 경우 1.23 VRHE 및 1.50 VRHE에서 각각 2.44 mA/cm2 및 3.70 mA/cm2의 광전류 밀도 값을 갖는 바, PEC의 광전기화학 특성을 개선할 수 있다.
-
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2016-0088070 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1789795 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70807 -
dc.title.alternative Preparing method of hematite with Ti-doped SiOx passivation layer -
dc.title 티타늄이 도핑된 산화실리콘 패시베이션 층을 포함하는 산화철 제조방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

qrcode

Items in Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.