수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법

Abstract

본 발명은, 저압화학기상증착법(Low pressure chemical vapor deposition)을 이용하여 기판 상에 단층의 그래핀(graphene)을 형성하는 단계(제1단계); 상기 기판의 단층의 그래핀을 분리하여 다시 제1단계의 공정으로 제조된 단층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여, 2개층의 그래핀을 적층하는 단계(제2단계); 상기 2개층의 그래핀이 형성된 기판에서 2개층을 가지는 그래핀을 분리하고, 다시 제2단계에서 제조된 2개층의 그래핀이 형성된 기판에 전사하여 4개층을 적층하는 단계(제3단계); 및 상기 제3단계의 과정으로 제조된 기판을 수소플라즈마 처리하여 다이아몬드상 필름으로 형성하는 단계(제4단계)를 포함하는 수소플라즈마 처리를 통한 다이아몬드상 필름 제조방법을 제공한다.

그래핀을 기판 상에 형성하고, 별도의 그래핀을 박리하기 위한 별도의 장치를 사용하지 아니하고, 습식전사(wet transfer)를 이용하여 기판 상에 그래핀을 적층할 수 있으며, 적층된 4개 내지 8개의 그래핀층을 수소플라즈마 처리하여 다이아몬드상 필름을 제조할 수 있다. 제조된 다이아몬드상 필름은 기계적 물성이 크게 증가하여 다양한 성형품의 내마모성 등을 증가시키는데 매우 효과적이다