전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기

Abstract

본 발명은 소스/드레인 및 게이트 자체의 형상만으로 비대칭 특성을 나타내어 높은 감도를 구현할 수 있는 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기에 있어서, 상기 전계효과트랜지스터는: 실리콘 베이스 일부에 도핑에 의하여 형성되는 소스; 평면 상으로 상기 소스를 감싸는 형태로 형성되는 채널; 상기 채널 외부에 형성되는 드레인; 상기 소스, 채널 및 드레인 상단에 형성되는 유전층; 및 상기 유전층 상단에 위치하는 게이트;를 포함하여 구성되며, 상기 게이트를 통하여 테라헤르츠 전자기파가 인가되는 경우 상기 소스와 드레인에서 출력되는 전류/전압으로 전자기파의 정도를 감지하는 것을 특징으로 한다.