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최경진

Choi, Kyoung Jin
Energy Conversion Materials Lab.
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dc.contributor.assignee 울산과학기술원 / 한국광기술원(KOPTI) -
dc.contributor.author 신재철 -
dc.contributor.author 최경진 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:39:16Z -
dc.date.application 2012-08-08 -
dc.date.available 2024-01-23T19:39:16Z -
dc.date.registration 2013-12-11 -
dc.description.abstract 본 발명은 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법, 대면적 나노선, 이를 이용한 태양전지 및 발광다이오드에 관한 것으로 (a)반도체 기판을 계면활성제로 코팅하는 단계, (b)계면활성제로 코팅된 기판을 반응기로 이송하는 단계 및 (c)반응기에 Ⅲ족의 유기금속, Ⅴ족을 함유하는 기체 또는 유기금속을 주입한 후 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 상기 반도체 기판에 나노선을 성장시키는 단계를 포함함으로써, 촉매에 의한 오염을 방지하며 대면적의 반도체 기판 전체에 고밀도의 나노선이 성장할 수 있다. -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2012-0086550 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1342490 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71138 -
dc.title.alternative Manufacturing method of non-catalyst type nanowire, nanowire, solar cells and LED using the same -
dc.title 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법, 대면적 나노선, 이를 이용한 태양전지 및 발광다이오드 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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