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최경진

Choi, Kyoung Jin
Energy Conversion Materials Lab.
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 최경진 -
dc.contributor.author 원상혁 -
dc.contributor.author 박민주 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:39:15Z -
dc.date.application 2015-02-05 -
dc.date.available 2024-01-23T19:39:15Z -
dc.date.registration 2016-11-18 -
dc.description.abstract 본 발명은 나노구조체를 이용하여 높은 광추출효율을 갖는 나노 구조체가 삽입된 발광다이오드 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기의 목적 달성을 위하여 본 발명은, 나노 구조체가 삽입된 발광다이오드소자에 있어서, 상기 발광다이오드

는 피형 전극이 접촉하는 보호층 상단에 형성되는 나노 구조체를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
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dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2015-0017826 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1679502 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71137 -
dc.title.alternative Fabriction of nanostructure embedded LED device -
dc.title 나노 구조체가 삽입된 발광다이오드 소자 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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