나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법

Abstract

본 발명에 따르면, 기판(10)의 상부면에 복수의 나노스피어(20)를 단일층으로 배열하는 나노스피어 배열단계(S110); 상기 복수의 나노스피어(20)들 간의 간격에 실리카졸 용액을 스며들게 하여, 상기 기판(10)의 상부면에 내측으로 오목한 복수의 반구홈(31)을 갖는 나노패턴(30)을 형성하는 나노패턴 형성단계(S120); 화학적 용해방식 또는 연소방식을 통해 상기 나노스피어(20)를 제거하는 나노스피어 제거단계(S130); 나노스피어(20)가 제거된 나노패턴(30)을 일정온도로 가열하여 나노패턴(30)을 결정화시키는 열처리단계(S140); 결정화된 나노패턴(30)의 각 반구홈(31) 내부에 상부방향으로 성장된 로드(Rod) 형태의 산화아연 나노구조체(40)를 형성하는 산화아연 나노구조체 형성단계(S150); 및 상기 산화아연 나노구조체(40)의 외부면에 질화갈륨(GaN)을 이종결합시켜 질화갈륨 나노구조체(50)를 형성하는 질화갈륨 나노구조체 형성단계(S160);를 포함하는 나노스피어를 이용한 질화갈륨 나노구조체 형성방법이 개시된다.