본 발명은 p형 및 n형 반도체를 동시에 구현할 수 있는 양극성(ambipolar) 반도체 화합물에 관한 것으로서, 하기 [화학식 1]로 표시되는 것을 특징으로 하고, 후속의 열처리에 의해서 열적 제거 가능한 작용기가 제거되어 인접 분자간 수소 결합이 망구조를 형성되어 주극성이 변환되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 양극성 반도체 화합물을 이용하여 p형 및 n형 반도체 특성을 동시에 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 비교적 간단한 용액 공정으로 전자회로를 제조할 수 있다. 또한, 종래 유기물질로 만든 박막 트랜지스터 등에서 발생하는 전자, 정공 이동도를 해결하여 보다 저비용으로 내충격성 및 플렉서블 특성이 우수한 디스플레이를 구현할 수 있다.