이종 나노와이어 성장 방법

Abstract

본 발명은 이종 나노와이어 성장 방법에 관한 발명이다. 본 발명의 실시예에 따른 이종 나노와이어 성장 방법은, 기판 상에 제1 화합물이 증착되어 제1 시드 레이어(seed layer)가 형성되는 단계, 상기 제1 시드 레이어 상에 상기 제1 화합물을 포함하는 제1 나노와이어(nano-wire) 어레이(array)가 성장되는이 성장되는 단계, 상기 기판 상에 PR(photo-resist)가 코팅(coating) 되는 단계, 상기 기판 상에 코팅된 PR 중에서 상기 제1 나노와이어 어레이 위에 코팅된 PR 을 제외한 나머지 PR 중에서 일부가 제거되는 단계, 상기 기판 상에 상기 제2 화합물이 증착되어 제2 시드 레이어가 형성되는 단계, 상기 제2 시드 레이어 상에 상기 제2 화합물을 포함하는 제2 나노와이어 어레이가 성장되는 단계 및 상기 기판 상에 존재하는 PR이제거되는 단계를 포함하되, 상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 서로 상이하고,상기 제1 나노와이어 어레이와 상기 제2 나노와이어 어레이는 서로 상이할 수 있다.