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최은미

Choi, EunMi
THz Vacuum Electronics and Applied Electromagnetics Lab.
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준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치 및 그 방법

Alternative Title
measuring device of the carrier lifetime of semiconductor using quasi-optical millimeter and terahertz and method thereof
Author(s)
최문석최은미
Application Date
2017-12-11
Registration Date
2019-12-30
Application No.
10-2017-0169292
Publication No.
10-2062701
URI
https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70326 Go to Link
Abstract
실시 예는 반도체 시료에 상기 반도체 시료의 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 여기광을 조사하는 여기광원; 100GHz 내지 1THz의 광을 생성하는 광원; 상기 광을 가우시안 빔으로 변조하는 제1 안테나; 상기 가우시안 빔을 상기 반도체 시료에서 상기 여기광이 조사된 영역으로 제공하는 미러부; 상기 미러부를 통과한 가우시안 빔이 통과하며 상기 가우시안 빔의 왜곡을 감소시키는 제2 안테나; 및 상기 제2 안테나를 통과한 상기 가우시안 빔의 강도를 검출하는 검출부;를 포함하는 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치를 개시한다.

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