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기형선

Ki, Hyungson
Laser Processing and Artificial Intelligence Lab.
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 기형선 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T20:35:12Z -
dc.date.application 2011-05-31 -
dc.date.available 2024-01-23T20:35:12Z -
dc.date.registration 2013-01-24 -
dc.description.abstract 본 발명은, 웨이퍼의 상면에 절단 예정 부분을 따라 예비 크랙을 형성하는 단계와, 상기 예비 크랙에 액체를 채우는 단계와, 상기 액체가 채워진 예비 크랙 상에 레이저를 조사하는 단계, 및 상기 레이저에 의해 유도되는 상기 액체의 비정상 증발압력에 의해 상기 예비 크랙이 하방으로 성장하면서 상기 웨이퍼가 절단되는 단계를 포함하는 레이저를 이용한 웨이퍼 가공 방법을 제공한다.



본 발명에 따른 레이저를 이용한 웨이퍼 가공 방법에 따르면, 웨이퍼의 절단 예정 부분에 예비 크랙을 형성한 다음 크랙 상에 액체를 채운 후 액체 상에 직접 레이저를 가하여 액체의 비정상 증발압을 유도함에 따라 크랙 부분이 순간적으로 하방으로 성장하여 웨이퍼를 효과적으로 절단할 수 있다. 또한, 액체의 레이저 흡수율이 웨이퍼의 레이저 흡수율보다 높은 경우, 웨이퍼의 절단 부위 이외의 소재 부분에 대한 손상 문제를 최소화할 수 있고 웨이퍼의 절단 부위를 깨끗하게 하는 이점이 있다.
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dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2011-0052114 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1228231 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71760 -
dc.title.alternative Method for dicing wafers using a laser -
dc.title 레이저를 이용한 웨이퍼 가공 방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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