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신현석

Shin, Hyeon Suk
Lab for Carbon and 2D Materials
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 신현석 -
dc.contributor.author 김광우 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T20:10:17Z -
dc.date.application 2015-06-10 -
dc.date.available 2024-01-23T20:10:17Z -
dc.date.registration 2016-09-28 -
dc.description.abstract 본 발명은 백금 기판에 h-BN을 형성하는 단계(제1단계); 및 상기 h-BN이 형성된 백금 기판을 반응로에 배치하고 탄소공급원을 투입하고 열처리하여 상기 h-BN에 그래핀이 삽입된 패턴을 형성하는 단계(제2단계)를 포함하는 평면내 h-BN에 그래핀이 삽입된 복합체 제조방법을 제공한다.

따라서 백금 기판을 촉매로 하고 치환반응의 조건을 조절하여 h-BN에 그래핀을 삽입하여 복합체를 제조할 수 있다. 특히 그래핀이 삽입되는 치환반응의 반응시간을 조절하여 그래핀과 h-BN의 계면을 조절하여 정밀한 전기 및 자기 물성을 가지는 2차원 나노소재를 제조할 수 있다.
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dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2015-0081945 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1662708 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71695 -
dc.title.alternative Preparing method of in-plane heterostructure having hexagonal boron nitride infiltrating graphene -
dc.title 평면내 육방정계질화붕소층에 그래핀이 삽입된 복합체 제조방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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