공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 및 온도센서 제조방법

Abstract

본 발명은 공중부유형 탄소나노와이어를 통하여 특정 가스의 농도를 검지하는 센서를 제조하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법에 관한 것으로, (a) 실리콘 기판 상측의 복수개의 전극영역에 1차 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계; (c) 상기 1차 절연층 및 실리콘 기판의 식각영역에 2차 절연층을 적층하는 단계; (d) 상기 1차 절연층 및 상기 식각영역 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; (e) 상기 전극영역을 1차 노광하는 단계; (f) 상기 전극영역 사이의 포토레지스트 상부를 와이어 형태의 포토마스크를 통하여 상기 전극 영역을 연결하는 마이크로 사이즈의 와이어 형태로 2차 노광하는 단계; (g) 상기 (e), (f) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 에칭하는 단계; (h) 에칭 과정 이후 남아있는 상기 전극 영역 및 마이크로 사이즈의 와이어를 열분해하여 일체형 탄소 전극과 탄소나노와이어를 형성하는 단계; 및 (i) 상기 탄소나노와이어에 가스 감지 물질을 적층하는 단계를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법을 제공한다.