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- Park, Jongnam
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 박종남 | - |
| dc.contributor.author | 주진환 | - |
| dc.contributor.author | 서요한 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:39:53Z | - |
| dc.date.application | 2015-05-29 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:39:53Z | - |
| dc.date.registration | 2016-10-06 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 독성이 없으면서도 발광 특성이 우수하고, 콜로이드 분산액 형태로 사용이 가능한 양자점을 발광층에 포함시켜 제조된, 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자점 발광소자에 포함되는 인듐갈륨계 질화물의 양자점은 독성이 없으면서도 높은 안정성 및 우수한 발광효율을 갖는바, 상기 양자점을 포함하는 본 발명의 양자점 발광소자는 각종 환경 규제를 통과할 수 있고, 우수한 발광효율로 다양한 색상의 구현이 가능하며, 또한, 분산성이 매우 우수해 콜로이드 분산액 형태로 이용이 가능하여, 종래의 고온 증착 공정 없이도 잉크 공정에 의해 기판 상에 형성될 수 있고, 이에 따라 내열성이 낮은 유연 기판 상에도 적용될 수 있는바, 비교적 간단한 공정으로 유연성을 갖는 발광장치를 제조할 수 있다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0076292 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1665450 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71178 | - |
| dc.title.alternative | A LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING QUANTUM DOT OF InxGa1-xN METAL NITRIDE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND A LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME | - |
| dc.title | 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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