인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액의 제조방법

Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표현되는 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 신규의 금속전구체를 사용하여 제조된 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 콜로이드 형태로 사용할 수 있도록 하는, 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 독성이 없으면서도 안정성이 높고 발광효율이 우수한 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액을 제조할 수 있는 방법을 제공하고, 본 발명의 제조방법으로 제조된, 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액은 종래의 고온 증착 공정 없이 잉크 공정으로 기판 상에 코팅이 될 수 있고, 이러한 특성 덕분에 내열성이 낮은 유연 기판 상에도 코팅이 용이한 효과가 있다.

[화학식 1]

InxGa1-xN

(상기 화학식 1에서, x는 0≤x≤1의 범위를 갖는다.)