본 발명은 무촉매 방식의 대면적 나노선의 제조방법, 대면적 나노선, 이를 이용한 태양전지 및 발광다이오드에 관한 것으로 (a)반도체 기판을 계면활성제로 코팅하는 단계, (b)계면활성제로 코팅된 기판을 반응기로 이송하는 단계 및 (c)반응기에 Ⅲ족의 유기금속, Ⅴ족을 함유하는 기체 또는 유기금속을 주입한 후 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 상기 반도체 기판에 나노선을 성장시키는 단계를 포함함으로써, 촉매에 의한 오염을 방지하며 대면적의 반도체 기판 전체에 고밀도의 나노선이 성장할 수 있다.