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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 백정민 | - |
| dc.contributor.author | 원유재 | - |
| dc.contributor.author | 예병욱 | - |
| dc.contributor.author | 기형선 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:38:30Z | - |
| dc.date.application | 2013-01-22 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:38:30Z | - |
| dc.date.registration | 2014-08-20 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 질화물계 발광다이오드 제조방법은, 질화물계 반도체 층의 TCO층 표면에 IZO층을 증착하는 단계; 질화물계 반도체 층의 상부에 산화아연을 나노물을 형성하기 위하여 표면처리하는 단계; 및 표면처리된 반도체 층의 표면에 산화아연으로 이루어진 나노물질을 형성하는 단계를 포함하여, Seed 층 없이 높은 밀도의 ZnO 나노구조를 성장할 수 있는 효과가 있고, 또한 90도 이하의 낮은 온도에서 ZnO 나노구조를 성장하므로 LED 열 충격 없이 성장이 가능하여 발광다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0006823 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1434318 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71082 | - |
| dc.title.alternative | METHOD FOR MANUFACTURING OF NITRIDE-BASED LED | - |
| dc.title | 질화물계 발광다이오드 제조방법 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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