ＧＡＮ 기반 다공성 피라미드 광전극 및 그 제조방법

Abstract

본 발명에 따른 GaN 기반 다공성 피라미드 광전극 제조방법은 (a) 기판상에 GaN를 전기화학식각으로 다공성 나노구조체를 형성하는 단계; (b) 상기 다공성 나노구조체에 SiO2 마이크로스피어, 혹은 Photolithography 공정을 통해 상기 피라미드 구조로 마이크로 패터닝을 수행하는 단계; (c) 상기 `(b)`단계에서 패터닝된 피라미드 구조대로 건식식각공정을 통해 상기 다공성 나노구조체를 식각하는 단계; (d) 상기 `(c)`단계에서 식각공정을 통해 형성된 다공성 피라미드 구조에 나노입자(202)가 포함된 용액을 도포하는 단계; 및 (e) 상기 나노입자(202)가 상기 다공성 피라미드 구조 내부로 들어가 고정될 수 있도록, 상기 다공성 피라미드 구조를 건조하는 단계;를 포함하여, 반사율과 내부 화학물질 수소효율을 향상시키는 효과가 있다.