광터널링에 의한 광추출효율이 향상된 발광다이오드

Abstract

본 발명에 따른 광터널링에 의한 광추출효율이 향상된 발광다이오드는, 발광다이오드, 발광다이오드 상에 광터널링이 가능한 소정의 두께를 가지는 투명전극, 및 투명전극 상에 적층되며, 굴절률이 반도체와 같거나 높은 비반사 구조체를 포함하되, 투명전극의 두께는 50nm 미만이고, 비반사구조체는 두께가 10nm 내지 1μm이고, 길이가 100nm 내지 10μm인 막대 구조이거나, 50um~1000um 크기의 구멍을 가지는 다공성 구조이거나, 투명전극 위에 각각 상이한 굴절율을 가지는 다층의 물질이 적층된 구조로 이루어져, 광터널링 효과에 의한 발광다이오드의 광추출 효과가 있고, 또한 부도체로 구성된 비반사 구조를 사용하여도 소자의 전기적 특성저하를 막을 수 있으며 발광특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.