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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 박원정 | - |
| dc.contributor.author | 백정민 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:37:38Z | - |
| dc.date.application | 2013-04-15 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:37:38Z | - |
| dc.date.registration | 2014-10-21 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따르면, 반도체기판(10); 및 상기 반도체기판(10) 상에 일정간격 이격되어 각각 증착된 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)과, 상기 제1반도체 씨드층(20) 및 제2반도체 씨드층(30)으로부터 각각 성장되어 형성된 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)와, 상기 제1나노구조체(21) 및 제2나노구조체(31)의 표면에 증착된 촉매층(50)을 포함하는 접합센서소자(100);를 포함하는 금속산화물 반도체를 이용한 접합센서 어레이를 개시한다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2013-0040801 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1455130 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/71011 | - |
| dc.title.alternative | Multi-Junction Sensor Array Based On Metal Oxide Semiconductor And Method For Fabricating The Same | - |
| dc.title | 금속산화물 반도체를 이용한 접합센서 어레이 및, 접합센서 어레이 제조방법 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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