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- Park, Jongnam
- Materials and Chemistry Lab.
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 박종남 | - |
| dc.contributor.author | 김태윤 | - |
| dc.contributor.author | 서요한 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:37:05Z | - |
| dc.date.application | 2016-04-06 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:37:05Z | - |
| dc.date.registration | 2018-03-14 | - |
| dc.description.abstract | 단일 물질로서 페로브스카이트를 광 활성 물질로 사용하되, 앞서 지적된 한계를 극복하기 위하여, 페로브스카이트 구조의 양자점을 형성하고, 그러한 양자점의 표면을 유기 리간드로 처리하여 양자점 발광 다이오드를 구현한다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0041999 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1840423 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70958 | - |
| dc.title.alternative | SURFACE TREATED QUANTUM DOT, SURFACE TREATING METHOD FOR QUANTUM DOT, QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE INCLUDING THE SAME SURFACE TREATED QUANTUM DOT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE | - |
| dc.title | 표면처리된 양자점, 양자점의 표면처리 방법, 상기 표면처리된 양자점을 포함하는 양자점 발광 다이오드, 상기 양자점 발광 다이오드의 제조 방법 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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