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- Lee, Zonghoon
- Atomic-Scale Electron Microscopy Lab.
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 홍효기 | - |
| dc.contributor.author | 이종훈 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:36:20Z | - |
| dc.date.application | 2016-12-27 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:36:20Z | - |
| dc.date.registration | 2019-01-10 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 그래핀 상 금속산화물층, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 전자소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 상 금속산화물층의 제조방법은, 그래핀을 표면개질하는 단계; 및 상기 표면개질된 그래핀 상에 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 이용하여 금속산화물층을 형성하는 단계;를 포함한다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0179826 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1939450 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70866 | - |
| dc.title.alternative | FORMING METHOD OF METAL OXIDE LAYER ON GRAPHENE, METAL OXIDE LAYER ON GRAPHENE FORMED THEREBY AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE METAL OXIDE LAYER ON GRAPHENE | - |
| dc.title | 그래핀 상 금속산화물층의 형성방법, 그에 의해 제조된 그래핀 상 금속산화물층 및 그래핀 상 금속산화물층을 포함하는 전자소자 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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