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박종남

Park, Jongnam
Materials and Chemistry Lab.
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 / 욱성화학 -
dc.contributor.author 최용훈 -
dc.contributor.author 박종남 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:36:01Z -
dc.date.application 2016-10-13 -
dc.date.available 2024-01-23T19:36:01Z -
dc.date.registration 2018-10-23 -
dc.description.abstract 본 기재에 따른 InP 양자점의 제조방법은 a) 인듐 전구체, 용매 및 황을 포함하는 유기 리간드를 반응기에 넣어 혼합한 후 가열하며 진공화하는 단계; 및 b) 상기 단계 a)의 반응기에 아미노포스핀계 화합물을 첨가하여, 상기 단계 a)에서 제조된 혼합물과 반응시켜 InP(인듐 포스파이드) 양자점을 합성하는 단계를 포함한다. -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2016-0132813 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1912296 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70817 -
dc.title.alternative METHOD OF PREPARING InP QUANTUM DOT AND METHOD OF PREPARING CORE/SHELL QUANTUM DOT COMPRISING THE SAME -
dc.title INP 양자점의 제조방법 및 이를 포함하는 코어/쉘 양자점의 제조방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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