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박종남

Park, Jongnam
Materials and Chemistry Lab.
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 박종남 -
dc.contributor.author 손재성 -
dc.contributor.author 서요한 -
dc.contributor.author 최용훈 -
dc.contributor.author 조진희 -
dc.contributor.author 방은별 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:35:48Z -
dc.date.application 2016-08-12 -
dc.date.available 2024-01-23T19:35:48Z -
dc.date.registration 2018-10-04 -
dc.description.abstract InP 양자점의 제조방법 및 InP/ZnS 코어/쉘 양자점의 제조방법에 관한 것으로, a) 인듐 전구체 및 용매를 반응기에 넣어 혼합한 후, 가열하며 진공화하는 단계; 및 b) 상기 단계 a)의 반응기에 백린(white phosphorus)을 첨가하여, 상기 단계 a)에서 제조된 혼합물과 상기 백린을 열분해 반응시켜 InP(인듐 포스파이드) 양자점을 합성하는 단계를 포함하는 InP 양자점의 제조방법을 제공할 수 있다. -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2016-0102909 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1907096 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70775 -
dc.title.alternative METHOD OF PREPARING InP QUANTUM DOT AND METHOD OF PREPARING InP/ZnS CORE/SHELL QUANTUM DOT -
dc.title INP 양자점의 제조방법 및 INP/ZNS 코어/쉘 양자점의 제조방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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