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신흥주

Shin, Heungjoo
Micro/Nano Integrated Systems Lab.
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 신흥주 -
dc.contributor.author 주재환 -
dc.contributor.author 임영진 -
dc.contributor.author 권순용 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:10:45Z -
dc.date.application 2016-05-19 -
dc.date.available 2024-01-23T19:10:45Z -
dc.date.registration 2017-11-30 -
dc.description.abstract 본 발명에 따른 탄소구조체 제조방법은 A)준비된 실리콘웨이퍼 상면에 절연층을 형성하는 단계와, B)상기 A)단계에 의해 형성된 절연층 상에 포토리소그래피로 해당 형상의 포토레지스트구조물을 형성하는 단계와, C)상기 B)단계에 의해 형성된 포토레지스트구조물을 탄소구조체로 전환되도록, 상기 포토레지스트구조물을 열분해하는 단계와, D)상기 C)단계에 의해 포토레지스트구조물에서 탄소구조체로 전환된 탄소구조체를 급속 후열처리하는 단계로, 탄소구조체의 전기 전도도가 획기적으로 향상시키는 탄소구조체 제조방법을 제공한다. -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2016-0061202 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1805422 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70726 -
dc.title.alternative Method of manufacturing carbon structure -
dc.title 탄소구조체 제조방법 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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