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신현석

Shin, Hyeon Suk
Lab for Carbon and 2D Materials
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DC Field Value Language
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 -
dc.contributor.author 김광우 -
dc.contributor.author 신현석 -
dc.date.accessioned 2024-01-23T19:09:31Z -
dc.date.application 2017-12-27 -
dc.date.available 2024-01-23T19:09:31Z -
dc.date.registration 2019-09-24 -
dc.description.abstract 본 발명은 그래핀 양자점의 디자인에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다양한 전자 소자에 이용 가능한 그래핀 양자점이 육방정계 질화붕소 내부에 형성된 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측에 따르는 그래핀 양자점이 육방정계 질화붕소 내부에 형성된 박막은, 육방정계 질화붕소 박막에 있어서, 복수 개의 인접한 질소 원자 및 붕소 원자의 자리(site)가 탄소 원자로 치환되어 형성된 그래핀 양자점(GQD, graphene quantum dot)을 하나 이상 포함한다. -
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2017-0180843 -
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-2027042 -
dc.identifier.uri https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70650 -
dc.title.alternative ARRAY OF GRAPHENE QUNANTUM DOTS EMBEDDED IN HEXAGONAL BORON NITRIDE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, ELECTRONIC DEVICE COMPRISING FOR THE SAME -
dc.title 육방정계 질화붕소 내부에 형성된 그래핀 양자점 배열 및 그 제조방법, 그를 포함하는 전자 소자 -
dc.type Patent -
dc.publisher.country KO -
dc.type.iprs 특허 -

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