dc.contributor.assignee |
울산과학기술원 |
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dc.contributor.author |
김광우 |
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dc.contributor.author |
신현석 |
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dc.date.accessioned |
2024-01-23T19:09:31Z |
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dc.date.application |
2017-12-27 |
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dc.date.available |
2024-01-23T19:09:31Z |
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dc.date.registration |
2019-09-24 |
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dc.description.abstract |
본 발명은 그래핀 양자점의 디자인에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다양한 전자 소자에 이용 가능한 그래핀 양자점이 육방정계 질화붕소 내부에 형성된 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측에 따르는 그래핀 양자점이 육방정계 질화붕소 내부에 형성된 박막은, 육방정계 질화붕소 박막에 있어서, 복수 개의 인접한 질소 원자 및 붕소 원자의 자리(site)가 탄소 원자로 치환되어 형성된 그래핀 양자점(GQD, graphene quantum dot)을 하나 이상 포함한다. |
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dc.identifier.patentApplicationNumber |
10-2017-0180843 |
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dc.identifier.patentRegistrationNumber |
10-2027042 |
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dc.identifier.uri |
https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70650 |
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dc.title.alternative |
ARRAY OF GRAPHENE QUNANTUM DOTS EMBEDDED IN HEXAGONAL BORON NITRIDE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME, ELECTRONIC DEVICE COMPRISING FOR THE SAME |
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dc.title |
육방정계 질화붕소 내부에 형성된 그래핀 양자점 배열 및 그 제조방법, 그를 포함하는 전자 소자 |
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dc.type |
Patent |
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dc.publisher.country |
KO |
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dc.type.iprs |
특허 |
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