터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예는, 터널링 전계효과 트랜지스터로서, As(arsenene), Sb(antimonene), 또는 Bi(bismuthene) 중 어느 하나의 단일 원소로 구비된 소스영역, 드레인영역, 채널영역; 및 상기 소스영역과 상기 채널영역 사이에 배치되며, As(arsenene), Sb(antimonene), 또는 Bi(bismuthene) 중 어느 하나의 단일 원소로 구비된 도전영역;을 포함하며, 상기 도전영역의 두께는 상기 채널영역의 두께보다 큰, 터널링 전계효과 트랜지스터를 개시한다.