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- Chang, Jiwon
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 장지원 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:08:40Z | - |
| dc.date.application | 2018-03-28 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:08:40Z | - |
| dc.date.registration | 2019-10-28 | - |
| dc.description.abstract | 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예는, 터널링 전계효과 트랜지스터로서, As(arsenene), Sb(antimonene), 또는 Bi(bismuthene) 중 어느 하나의 단일 원소로 구비된 소스영역, 드레인영역, 채널영역; 및 상기 소스영역과 상기 채널영역 사이에 배치되며, As(arsenene), Sb(antimonene), 또는 Bi(bismuthene) 중 어느 하나의 단일 원소로 구비된 도전영역;을 포함하며, 상기 도전영역의 두께는 상기 채널영역의 두께보다 큰, 터널링 전계효과 트랜지스터를 개시한다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0036020 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2039630 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70591 | - |
| dc.title.alternative | TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR and Method of the manufacturing the same | - |
| dc.title | 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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