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- Chang, Jiwon
- Exploratory Device Research Lab.
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터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
- Alternative Title
- TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR and Method of the manufacturing the same
- Author(s)
- 장지원
- Application Date
- 2018-03-28
- Registration Date
- 2019-10-28
- Application No.
- 10-2018-0036020
- Publication No.
- 10-2039630
- Abstract
- 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 일 실시예는, 터널링 전계효과 트랜지스터로서, As(arsenene), Sb(antimonene), 또는 Bi(bismuthene) 중 어느 하나의 단일 원소로 구비된 소스영역, 드레인영역, 채널영역; 및 상기 소스영역과 상기 채널영역 사이에 배치되며, As(arsenene), Sb(antimonene), 또는 Bi(bismuthene) 중 어느 하나의 단일 원소로 구비된 도전영역;을 포함하며, 상기 도전영역의 두께는 상기 채널영역의 두께보다 큰, 터널링 전계효과 트랜지스터를 개시한다.
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