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- Cho, Jaephil
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 조재필 | - |
| dc.contributor.author | 박승규 | - |
| dc.contributor.author | 채수종 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T19:06:29Z | - |
| dc.date.application | 2017-12-04 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T19:06:29Z | - |
| dc.date.registration | 2019-07-02 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 기체상인 실란 가스와 암모니아 가스가 열분해되어 제조된 실리콘나이트라이드 입자 또는 실란 가스와 암모니아 가스가 탄소계 소재 상에 기상증착되어 제조된 실리콘나이트라이드 박막의 표면에 탄소 원자가 코팅된 실리콘나이트라이드 음극재 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0165391 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1997665 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70380 | - |
| dc.title.alternative | Anode materials including Silicon nitride and method for manufacturing thereof | - |
| dc.title | 실리콘나이트라이드 음극재 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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