dc.contributor.assignee |
울산과학기술원 / 대구경북과학기술원(DGIST) |
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dc.contributor.author |
이기석 |
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dc.contributor.author |
임미영 |
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dc.contributor.author |
홍정일 |
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dc.contributor.author |
한희성 |
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dc.date.accessioned |
2024-01-23T18:38:02Z |
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dc.date.application |
2017-10-13 |
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dc.date.available |
2024-01-23T18:38:02Z |
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dc.date.registration |
2019-05-02 |
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dc.description.abstract |
본 발명에 따른 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스는, 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스에 있어서, 소정 패턴 구조의 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층 상에 형성된 비자성층(non-magnetic layer)과, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과, 상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과, 상기 제 2 강자성층 상에 형성된 제 2 반강자성층을 포함하고, 상기 메모리 디바이스는, 상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층의 상부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 상부가 제 2 영역으로 구획될 수 있다. |
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dc.identifier.patentApplicationNumber |
10-2017-0133199 |
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dc.identifier.patentRegistrationNumber |
10-1976791 |
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dc.identifier.uri |
https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70049 |
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dc.title.alternative |
MEMORY DEVICE BY USING BLOCH-POINT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
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dc.title |
블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스 및 제조 방법 |
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dc.type |
Patent |
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dc.publisher.country |
KO |
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dc.type.iprs |
특허 |
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