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Kwon, Soon-Yong
Frontier, Innovative Nanomaterials & Devices (FIND) Lab
Research Interests
  • Semiconductor Epitaxy, thin film technology & surface/ interface Science


탄소체를 포함하는 그래핀 도전층, 그 제조 방법, 그를 포함하는 광전소자, 태양전지 및 전자 소자

DC Field Value Language 권순용 ko 곽진성 ko 윤형덕 ko 2016-06-09T05:50:59Z - 2014-03-11 ko
dc.identifier.other 31 -
dc.identifier.uri -
dc.description.abstract 본 발명은, 탄소체를 이용하여 그래핀층의 변형이나 파손 없이 전사하여 그래핀 도전층을 형성하는 그래핀 도전층 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 그래핀 도전층 제조 방법은, 제1 기판 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 그래핀층 상에 탄소체 및 분산제를 포함하는 도포층을 형성하는 단계; 상기 탄소체를 상기 그래핀층 상에 잔류시키도록, 상기 도포층에서 상기 분산제를 제거하는 단계; 상기 탄소체가 상기 그래핀층에 결합되도록, 상기 그래핀층을 열처리하는 단계; 상기 제1 기판을 제거하여 상기 그래핀층을 분리하는 단계; 및 상기 분리된 그래핀층을 제2 기판 상에 전사하여 그래핀 도전층을 형성하는 단계;를 포함한다. ko
dc.description.statementofresponsibility open -
dc.subject.classification 기타 -
dc.subject.classification 재료 -
dc.subject.classification 나노재료 -
dc.title 탄소체를 포함하는 그래핀 도전층, 그 제조 방법, 그를 포함하는 광전소자, 태양전지 및 전자 소자 ko
dc.title.alternative Graphene conductive layer having carbon member, method of manufacturing the same, and optoelectric device, solar cell, and electronic device having the same ko
dc.type Patent ko
dc.type.rims PAT ko
dc.identifier.patentRegistrationNumber 10-1375145 ko 2013-04-17 ko
dc.identifier.patentApplicationNumber 10-2013-0042301 ko
dc.type.iprs 특허 ko 2014-03-11 ko KO ko
dc.contributor.assignee 울산과학기술원 ko
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