Scholarworks@UNIST

A Novel Ternary-CMOS Based on Tunneling-Only Current Mechanism for Ultra-Enhanced Power-Scalability Using Steep-Slope Device Characteristics

Patent Issue Date View18

3진 메모리 셀을 포함하는 메모리 장치

김경록 , 정재원 , 김명 , 김우석 , 최영은

Patent Issue Date View10

3진수 논리회로

김경록 , 정재원 , 전재현 , 김우석 , 최영은

Patent Issue Date View17

3진수 논리회로

김경록 , 정재원 , 전재현 , 김우석 , 최영은

Patent Issue Date View12

3진수 논리회로

김경록 , 정재원 , 전재현 , 김우석 , 최영은

Patent Issue Date View5

김우석 , 정재원 , 최영은 , 전재현 , Kim, Kyung Rok

Conference Paper Issue Date2021-01-28 View11

Analysis and Characterization of Pass Transistor-Based Ternary Inverter for Optimized LowPower Design

전재현 , 정재원 , 최영은 , 김우석 , Kim, Kyung Rok

Conference Paper Issue Date2021-01-28 View13

Compact Modeling and Corner Analysis of Ternary-CMOS

최영은 , 정재원 , 김우석 , 전재현 , Kim, Kyung Rok

Conference Paper Issue Date2021-01-28 View19

Demonstration of Highly Scalable Ternary-CMOS with Compact Model

정재원 , 최영은 , 김우석 , 전재현 , 정종은 , Kim, Kyung Rok

Conference Paper Issue Date2021-01-28 View7

높은 확장성을 가지는 고이동도 신소자

김성호 , 박종율 , 김우석 , 김경록

Conference Paper Issue Date2019-02-13 View15

삼진 인버터 및 그 제조방법

열공정버짓 감소에 따른 독립적으로 문턱 전압과 정전류 조절이 가능한 Ternary CMOS 소자

Patent Issue Date View5

실리콘 기반 Fin 구조 고이동도 소자

김성호 , 박종율 , 김우석 , 김경록

Conference Paper Issue Date2018-02-05 View22

실리콘 기반 Fin 구조 고이동도 신소자

김성호 , 박종율 , 김우석 , 김경록

Conference Paper Issue Date2019-06-27 View15

최영은 , 정재원 , 김우석 , 김경록

Conference Paper Issue Date2019-06-27 View14

열공정버짓 감소에 따른 독립적으로 문턱 전압과 정전류 조절이 가능한 Ternary CMOS 소자

최영은 , 정재원 , 김우석 , 김경록

Conference Paper Issue Date2019-02-13 View10

터널 전계효과 트랜지스터 및 이를 포함하는 삼진 인버터

Patent Issue Date View11

터널 전계효과트랜지스터 및 이를 포함하는 삼진 인버터

Patent Issue Date View4

터널 전계효과트랜지스터 및 이를 포함하는 삼진 인버터

Patent Issue Date View15

Patent Issue Date View15

김경록 , 정재원 , 장지원 , 김우석 , 최영은

Patent Issue Date View17

Patent Issue Date View13

김경록 , 정재원 , 장지원 , 김우석 , 최영은

Patent Issue Date View8

트랜지스터 제조 방법 및 삼진 인버터 제조 방법

트랜지스터, 이를 포함하는 삼진 인버터, 및 트랜지스터의 제조 방법

Patent Issue Date View16

Patent Issue Date View13

트랜지스터, 이를 포함하는 삼진 인버터, 및 트랜지스터 제조 방법