나노와이어 소자 제조 방법

Abstract

본 발명은 단일 기판 전체면에 대하여 나노와이어를 균일하게 생성하여 생산성을 향상시키는 나노와이어 소자 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 면적 전체에 나노와이어를 생성하는 나노와이어 소자 제조 방법에 있어서, 나노와이어 생성을 위한 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 준비된 상기 기판을 폴리라이신 용액에 일정시간 침액시키는 기판 표면 처리 단계; 상기 기판 전면적에 균일하게 As 원자를 코팅하는 기판 코팅 단계; 및 상기 코팅된 기판에 InAsP 나노와이어 배열을 생성하는 나노와이어 생성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.