선택적 전극형성을 이용한 피라미드형 발광 다이오드 제조 방법

Abstract

본 발명에 따른 선택적 전극형성을 이용한 피라미드형 발광 다이오드 제조 방법은 (A) GaN 층이 적층된 기판상의 홀 패턴을 형성하는 단계; (B) 패턴이 형성된 기판을 금속유기화학증착장비(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)에 넣어, 홀 패턴의 개구부에서 n-GaN, MQWs, p-GaN이 성장되도록 하는 단계; (C) 기판에서 피라미드 형태로 성장된 피라미드형 발광 다이오드에 PR(Photoresist:광경화성수지)로 코팅 후, 에싱(Ashing)을 실시하는 단계; (D) 피라미드형 발광다이오드의 첨단부만을 절개하여 오픈(open)한 후, 스퍼터(SPUTTER) 방식을 이용하여 마스크층를 층착하는 단계; 및 (E) SiO2이 증착된 피라미드형 발광 다이오드에 E-beam을 이용하여 ITO를 증착하여 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하여, 발광 구조체의 첨단부 또는 단부를 덮는 누설전류 방지층을 형성시킴으로써, 발광 소자의 누설 전류 발생을 최소화할 수 있는 효과가 있다.