스커미온 다이오드 및 그 제조 방법

Abstract

스커미온을 정보 캐리어로 이용하는 스커미온 다이오드에 관한 것이다. 개시된 스커미온 다이오드는 정보 캐리어로 이용되는 스커미온을 가지는 자성체와, 자성체의 상부 또는 하부에 배치되어 스핀 궤도 결합이 나타나는 전도체를 포함하며, 전도체는 자성체에 의한 자기장과 스핀 궤도 결합에 의해 자성체의 대응 영역에 비대칭 교환 상호작용(DMI)이 발생하도록 하는 DMI 영역과 자성체의 다른 대응 영역에 DMI가 발생하지 않도록 하는 디펙트 영역을 포함한다. 실시예에 따르면 자성체에 DMI가 발생하도록 하는 영역과 DMI가 발생하지 않도록 하는 영역을 모두 포함하는 전도체를 채용함으로써, 자성체에 각부를 설치하지 않고서도 스커미온을 정보 캐리어로 이용한다. 전도체는 자성체에 비하여 다양한 모양으로 제작하기 용이하기 때문에, 다양한 제작 공정을 도입할 수 있으며, 그 모양이나 크기 또는 위치에 따라 전기적 특성이 변화되는 디펙트 영역을 용이하게 미세 조정할 수 있다.