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- Park, Jang-Ung
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Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.assignee | 울산과학기술원 | - |
| dc.contributor.author | 장지욱 | - |
| dc.contributor.author | 박장웅 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-01-23T18:38:56Z | - |
| dc.date.application | 2017-03-02 | - |
| dc.date.available | 2024-01-23T18:38:56Z | - |
| dc.date.registration | 2017-10-26 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은, 높은 전자 이동도를 가지는 고 이동도 트랜지스터를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 고 이동도 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 배치되어 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 전기적으로 연결하는 채널 영역; 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 상에 배치된 제1 격벽 요소; 상기 제1 격벽 요소 상에 배치된 제1 게이트 전극층; 및 상기 채널 영역, 상기 제1 격벽 요소, 및 상기 제1 게이트 전극층에 둘러싸여 이루어지는 제1 기체 영역;을 포함한다. | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0027100 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1792644 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.unist.ac.kr/handle/201301/70120 | - |
| dc.title.alternative | High-mobility transistor and a method of manufacturing the same | - |
| dc.title | 고 이동도 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
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